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Référence fabricant | DR1040-5R2-R |
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Numéro de pièce future | FT-DR1040-5R2-R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DR1040 |
DR1040-5R2-R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 5.2µH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 5.4A |
Courant - Saturation | 5.5A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 17 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.413" L x 0.406" W (10.50mm x 10.30mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.157" (4.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DR1040-5R2-R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DR1040-5R2-R-FT |
DR74-220-R
Eaton - Electronics Division
DR74-221-R
Eaton - Electronics Division
DR74-102-R
Eaton - Electronics Division
DR74-151-R
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DR74-3R3-R
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DR74-470-R
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DR74-471-R
Eaton - Electronics Division
DR74-1R0-R
Eaton - Electronics Division
DR74-2R2-R
Eaton - Electronics Division
DR74-331-R
Eaton - Electronics Division
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
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EPF10K100ABI356-3N
Intel