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Référence fabricant | DR74-1R0-R |
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Numéro de pièce future | FT-DR74-1R0-R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DR |
DR74-1R0-R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 5.39A |
Courant - Saturation | 10.2A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 9.9 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.299" L x 0.299" W (7.60mm x 7.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.171" (4.35mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DR74-1R0-R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DR74-1R0-R-FT |
HC3-3R3-R
Eaton - Electronics Division
HC3-2R2-R
Eaton - Electronics Division
HC3-1R0-R
Eaton - Electronics Division
HC2LP-R68-R
Eaton - Electronics Division
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Eaton - Electronics Division
HC2LP-2R2-R
Eaton - Electronics Division
HC2LP-1R0-R
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HC1-R57-R
Eaton - Electronics Division
HC1-5R1-R
Eaton - Electronics Division
FP3-R47-R
Eaton - Electronics Division
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel