maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DN2535N3-G-P013
Référence fabricant | DN2535N3-G-P013 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DN2535N3-G-P013 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DN2535N3-G-P013 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 350V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 120mA (Tj) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 Ohm @ 120mA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 25V |
Caractéristique FET | Depletion Mode |
Dissipation de puissance (max) | 1W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92 (TO-226) |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DN2535N3-G-P013 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DN2535N3-G-P013-FT |
2N7000-G
Microchip Technology
ZVN4210A
Diodes Incorporated
ZVN4306AV
Diodes Incorporated
ZVP3310A
Diodes Incorporated
ZVNL120A
Diodes Incorporated
ZVN3320A
Diodes Incorporated
TN0702N3-G
Microchip Technology
VN2106N3-G
Microchip Technology
DN2540N3-G
Microchip Technology
TN0604N3-G
Microchip Technology
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel