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Microchip Technology 2N7000-G

Name: 2N7000-G
Brand: Microchip Technology
SKU: 2N7000-G
Price: 0.304 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (427 reviews)

Numéro de pièce MFG: 2N7000-G

quantité disponible: 77730 Pièces

Prix de référence: USD 0.304

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microchip Technology

Brève description: - MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: 2N7000-G.pdf

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2N7000-G Caractéristiques

Référence fabricant	2N7000-G
Numéro de pièce future	FT-2N7000-G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
2N7000-G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	200mA (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-92-3
Paquet / caisse	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2N7000-G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	2N7000-G-FT

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