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Référence fabricant | DMTH10H030LK3-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMTH10H030LK3-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DMTH10H030LK3-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 28A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 33.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1871pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.1W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252-4L |
Paquet / caisse | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMTH10H030LK3-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMTH10H030LK3-13-FT |
DMP6023LSS-13
Diodes Incorporated
DMP6110SSDQ-13
Diodes Incorporated
DMP6110SSS-13
Diodes Incorporated
DMP6110SSSQ-13
Diodes Incorporated
DMPH4015SSS-13
Diodes Incorporated
DMPH4015SSSQ-13
Diodes Incorporated
DMS3014SSS-13
Diodes Incorporated
DMS3015SSS-13
Diodes Incorporated
DMT10H010LSS-13
Diodes Incorporated
DMT10H015LSS-13
Diodes Incorporated
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel