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Référence fabricant | DMP6110SSDQ-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMP6110SSDQ-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DMP6110SSDQ-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.8A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 969pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.2W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP6110SSDQ-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMP6110SSDQ-13-FT |
DMTH43M8LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH6009LK3Q-13
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XC3S1400AN-4FGG484C
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10M08DCF484C8G
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5SGXMB5R3F43C3N
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5SGXMA7H3F35I3
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LCMXO2280E-3B256C
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LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
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EP1C4F400C8
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EP20K200EBC356-1
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