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Référence fabricant | DMTH10H010SPSQ-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMTH10H010SPSQ-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DMTH10H010SPSQ-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11.8A (Ta), 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 56.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4468pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.5W (Ta), 166W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI5060-8 |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMTH10H010SPSQ-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMTH10H010SPSQ-13-FT |
EPC2051
EPC
EPC2051ENGRT
EPC
EPC2049ENGRT
EPC
EPC2045
EPC
EPC2045ENGRT
EPC
EPC2040
EPC
EPC2039
EPC
EPC2036
EPC
EPC2038
EPC
EPC2037
EPC
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel