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Référence fabricant | DMT3011LDT-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DMT3011LDT-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMT3011LDT-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8A, 10.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13.2nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 641pF @ 15V |
Puissance - Max | 1.9W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 155°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-VDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | V-DFN3030-8 (Type K) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT3011LDT-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMT3011LDT-7-FT |
DMHC4035LSD-13
Diodes Incorporated
DMHC4035LSDQ-13
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DMN6022SSD-13
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DMN6070SSD-13
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DMNH4015SSD-13
Diodes Incorporated
DMNH4026SSDQ-13
Diodes Incorporated
DMNH6022SSD-13
Diodes Incorporated
XCS20-3VQG100C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
AGL250V5-VQG100
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10M16DAF256C7G
Intel
5SGXMA3E2H29I2L
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5SGXMA7H1F35C2LN
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5SGXMA3K3F35C2LN
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LFXP2-30E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC208-3N
Intel