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Diodes Incorporated DMHC6070LSD-13

Name: DMHC6070LSD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMHC6070LSD-13
Price: 0.4176 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (389 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMHC6070LSD-13

quantité disponible: 51940 Pièces

Prix de référence: USD 0.4176

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMHC6070LSD-13.pdf

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DMHC6070LSD-13 Caractéristiques

Référence fabricant	DMHC6070LSD-13
Numéro de pièce future	FT-DMHC6070LSD-13
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DMHC6070LSD-13 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Caractéristique FET	Standard
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3.1A, 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	731pF @ 20V
Puissance - Max	1.6W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur	8-SO
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMHC6070LSD-13 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMHC6070LSD-13-FT

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