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Référence fabricant | DMT3009LDT-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DMT3009LDT-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMT3009LDT-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1 mOhm @ 14.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 15V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 15V |
Puissance - Max | 1.2W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-VDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | V-DFN3030-8 (Type K) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT3009LDT-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMT3009LDT-7-FT |
DMHC4035LSDQ-13
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DMNH4026SSDQ-13
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DMNH6022SSD-13
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LFE2-20SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
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Microchip Technology
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