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Diodes Incorporated DMT3009LDT-7

Numéro de pièce MFG
DMT3009LDT-7
quantité disponible
58890 Pièces
Prix de référence
USD 0.35468
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMT3009LDT-7.pdf
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DMT3009LDT-7 Caractéristiques

Référence fabricant DMT3009LDT-7
Numéro de pièce future FT-DMT3009LDT-7
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
DMT3009LDT-7 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.1 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 15V
Puissance - Max 1.2W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-VDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur V-DFN3030-8 (Type K)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT3009LDT-7 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMT3009LDT-7-FT

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