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DMT10H010SPS-13 Image

Diodes Incorporated DMT10H010SPS-13

Numéro de pièce MFG
DMT10H010SPS-13
quantité disponible
95710 Pièces
Prix de référence
USD 0.47328
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMT10H010SPS-13.pdf
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DMT10H010SPS-13 Caractéristiques

Référence fabricant DMT10H010SPS-13
Numéro de pièce future FT-DMT10H010SPS-13
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
DMT10H010SPS-13 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 10.7A (Ta), 113A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56.4nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4.468nF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.2W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PowerDI5060-8
Paquet / caisse 8-PowerTDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT10H010SPS-13 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMT10H010SPS-13-FT

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