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Référence fabricant | DMS3014SFG-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DMS3014SFG-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMS3014SFG-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9.5A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 10.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 45.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4310pF @ 15V |
Caractéristique FET | Schottky Diode (Body) |
Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI3333-8 |
Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMS3014SFG-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMS3014SFG-7-FT |
DMT3006LPS-13
Diodes Incorporated
DMT34M2LPS-13
Diodes Incorporated
DMT8012LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH10H010SPS-13
Diodes Incorporated
DMTH10H010SPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH10H015LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH3002LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH3004LPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH4004LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH4005SPS-13
Diodes Incorporated
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
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5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
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