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Référence fabricant | DMP3036SSS-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMP3036SSS-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMP3036SSS-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 19.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1931pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.4W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP3036SSS-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMP3036SSS-13-FT |
DMP4015SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMPH3010LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMPH6023SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH4007LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH43M8LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH6009LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH6010LK3Q-13
Diodes Incorporated
ZXMN6A09KQTC
Diodes Incorporated
ZXMP7A17KQTC
Diodes Incorporated
DMJ70H601SK3-13
Diodes Incorporated
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
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EP1C6Q240C7N
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EP1K100QC208-1GZ
Intel