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Référence fabricant | DMP2047UCB4-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DMP2047UCB4-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMP2047UCB4-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.1A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | -6V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 218pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | U-WLB1010-4 |
Paquet / caisse | 4-UFBGA, WLBGA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP2047UCB4-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMP2047UCB4-7-FT |
DMP4025LSS-13
Diodes Incorporated
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A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
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