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Référence fabricant | DMN4800LSS-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMN4800LSS-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN4800LSS-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.47nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 798pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.46W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN4800LSS-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN4800LSS-13-FT |
DMTH4007LK3-13
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LFXP3C-4T144I
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A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
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10AX016C4U19I3SG
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5SGSED6K2F40C2N
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5CGXFC7B6M15I7N
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EP4SGX530KH40C3NES
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5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation