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Diodes Incorporated DMP2006UFGQ-7

Name: DMP2006UFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP2006UFGQ-7
Price: 0.36164 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (646 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMP2006UFGQ-7

quantité disponible: 59370 Pièces

Prix de référence: USD 0.36164

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: Automotive, AEC-Q101 MOSFET BVDSS 8V-24V POWERDI3333

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMP2006UFGQ-7.pdf

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DMP2006UFGQ-7 Caractéristiques

Référence fabricant	DMP2006UFGQ-7
Numéro de pièce future	FT-DMP2006UFGQ-7
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101
DMP2006UFGQ-7 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	17.5A (Ta), 40A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	200nC @ 10V
Vgs (Max)	±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7500pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.3W (Ta), 41W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PowerDI3333-8
Paquet / caisse	8-PowerVDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMP2006UFGQ-7 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMP2006UFGQ-7-FT

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