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Référence fabricant | DMP1005UFDF-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMP1005UFDF-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMP1005UFDF-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 26A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2475pF @ 6V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.1W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | U-DFN2020-6 (Type F) |
Paquet / caisse | 6-UDFN Exposed Pad |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP1005UFDF-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMP1005UFDF-13-FT |
DMN63D1LW-13
Diodes Incorporated
DMN63D1LW-7
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XC6SLX16-N3FTG256C
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M1A3P250-1PQG208I
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EP3C80F484C7N
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10M50SCE144C8G
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LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
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EPF10K130EQC240-3N
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