maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DMN95H2D2HCTI
Référence fabricant | DMN95H2D2HCTI |
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Numéro de pièce future | FT-DMN95H2D2HCTI |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN95H2D2HCTI Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 950V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1487pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 40W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN95H2D2HCTI Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN95H2D2HCTI-FT |
AON6500_001
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AON6504
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AON6504_001
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AON6506
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AON6518
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