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Référence fabricant | AON6508_101 |
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Numéro de pièce future | FT-AON6508_101 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | AlphaMOS |
AON6508_101 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 29A (Ta), 32A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2010pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 4.2W (Ta), 41W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN (5x6) |
Paquet / caisse | 8-PowerSMD, Flat Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON6508_101 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AON6508_101-FT |
AON6284
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AON6284A
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AON6290
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AON6292
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AON6354
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AON6358
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AON6360
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A1020B-VQG80I
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XC6VLX75T-L1FFG484I
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APA1000-BG456M
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AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
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XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
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EPF10K10QI208-4
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EPF10K30AQC208-3N
Intel