maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DMN63D8LW-7
Référence fabricant | DMN63D8LW-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DMN63D8LW-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN63D8LW-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 380mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 Ohm @ 250mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 23.2pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-323 |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN63D8LW-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN63D8LW-7-FT |
ZXMN3A02N8TA
Diodes Incorporated
ZXMN3A02N8TC
Diodes Incorporated
ZXMN3A05N8TA
Diodes Incorporated
ZXMN3B04N8TC
Diodes Incorporated
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DMN1016UCB6-7
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DMP1100UCB4-7
Diodes Incorporated
XC2V250-5FG256I
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M2GL050-FGG484I
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A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
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5SGXEA5K3F35C2L
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XC5VLX50-2FFG1153C
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XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel