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Diodes Incorporated DMN6013LFGQ-13

Name: DMN6013LFGQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN6013LFGQ-13
Price: 0.323104 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (179 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMN6013LFGQ-13

quantité disponible: 68450 Pièces

Prix de référence: USD 0.323104

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: Automotive, AEC-Q101 MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMN6013LFGQ-13.pdf

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DMN6013LFGQ-13 Caractéristiques

Référence fabricant	DMN6013LFGQ-13
Numéro de pièce future	FT-DMN6013LFGQ-13
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101
DMN6013LFGQ-13 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	10.3A (Ta), 45A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	55.4nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2577pF @ 30V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PowerDI3333-8
Paquet / caisse	8-PowerVDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN6013LFGQ-13 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMN6013LFGQ-13-FT

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