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DMN33D8LT-7 Image

Diodes Incorporated DMN33D8LT-7

Numéro de pièce MFG
DMN33D8LT-7
quantité disponible
47600 Pièces
Prix de référence
USD 0.056784
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET N-CH 30V 0.115A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMN33D8LT-7.pdf
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DMN33D8LT-7 Caractéristiques

Référence fabricant DMN33D8LT-7
Numéro de pièce future FT-DMN33D8LT-7
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
DMN33D8LT-7 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 115mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.55nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 48pF @ 5V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 240mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SOT-523
Paquet / caisse SOT-523
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN33D8LT-7 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMN33D8LT-7-FT

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