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ON Semiconductor HUF75307T3ST

Name: HUF75307T3ST
Brand: ON Semiconductor
SKU: HUF75307T3ST
Availability: InStock
Rating: 4.8 (138 reviews)

Numéro de pièce MFG: HUF75307T3ST

quantité disponible: 97680 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: HUF75307T3ST.pdf

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HUF75307T3ST Caractéristiques

Référence fabricant	HUF75307T3ST
Numéro de pièce future	FT-HUF75307T3ST
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
HUF75307T3ST Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 20V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	SOT-223-4
Paquet / caisse	TO-261-4, TO-261AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HUF75307T3ST Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	HUF75307T3ST-FT

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