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Diodes Incorporated DMN3029LFG-7

Numéro de pièce MFG
DMN3029LFG-7
quantité disponible
79490 Pièces
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMN3029LFG-7.pdf
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DMN3029LFG-7 Caractéristiques

Référence fabricant DMN3029LFG-7
Numéro de pièce future FT-DMN3029LFG-7
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
DMN3029LFG-7 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 5.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PowerDI3333-8
Paquet / caisse 8-PowerWDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN3029LFG-7 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMN3029LFG-7-FT

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