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Diodes Incorporated DMN3026LVTQ-13

Name: DMN3026LVTQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3026LVTQ-13
Price: 0.1348 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (683 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMN3026LVTQ-13

quantité disponible: 93890 Pièces

Prix de référence: USD 0.1348

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMN3026LVTQ-13.pdf

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DMN3026LVTQ-13 Caractéristiques

Référence fabricant	DMN3026LVTQ-13
Numéro de pièce future	FT-DMN3026LVTQ-13
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DMN3026LVTQ-13 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	643pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.2W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TSOT-26
Paquet / caisse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN3026LVTQ-13 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMN3026LVTQ-13-FT

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