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Référence fabricant | DMN2450UFD-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DMN2450UFD-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN2450UFD-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 900mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 52pF @ 16V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 400mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | X1-DFN1212-3 |
Paquet / caisse | 3-UDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2450UFD-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN2450UFD-7-FT |
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Diodes Incorporated
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LFXP3C-3TN100C
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M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
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5SGSED8N3F45I3LN
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5SGXEB5R1F43I2N
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AGL1000V5-FGG144I
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LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel