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Référence fabricant | DMN2025UFDF-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DMN2025UFDF-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN2025UFDF-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6.5A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 486pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 700mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | U-DFN2020-6 |
Paquet / caisse | 6-UDFN Exposed Pad |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2025UFDF-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN2025UFDF-7-FT |
AON6504_001
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AON6506
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AON6508
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AON6508_101
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AON6510
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AON6514
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AON6516_151
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AON6518
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AON6520
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AON6522_002
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LCMXO2-640HC-6TG100I
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XA3S400A-4FTG256I
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A54SX72A-1FG484M
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A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
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XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel