maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / DMN2025UFDB-7
Référence fabricant | DMN2025UFDB-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DMN2025UFDB-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN2025UFDB-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 486pF @ 10V |
Puissance - Max | 700mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-UDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | U-DFN2020-6 (Type B) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2025UFDB-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN2025UFDB-7-FT |
APTC60DHM24T3G
Microsemi Corporation
APTC60HM24T3G
Microsemi Corporation
APTC60HM45SCTG
Microsemi Corporation
APTC60HM45T1G
Microsemi Corporation
APTC60HM70BT3G
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APTC60HM70T1G
Microsemi Corporation
APTC60HM70T3G
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APTC60TAM21SCTPAG
Microsemi Corporation
APTC60VDAM24T3G
Microsemi Corporation
APTC60VDAM45T1G
Microsemi Corporation
XC7S100-1FGGA676I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8ES
Intel
5SGXMB6R2F40I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG676C
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100I
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