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DMN2011UFX-7 Image

Diodes Incorporated DMN2011UFX-7

Numéro de pièce MFG
DMN2011UFX-7
quantité disponible
33490 Pièces
Prix de référence
USD 0.29984
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMN2011UFX-7.pdf
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DMN2011UFX-7 Caractéristiques

Référence fabricant DMN2011UFX-7
Numéro de pièce future FT-DMN2011UFX-7
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
DMN2011UFX-7 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2248pF @ 10V
Puissance - Max 2.1W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 4-VFDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur V-DFN2050-4
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN2011UFX-7 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMN2011UFX-7-FT

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