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Diodes Incorporated DMN1032UCB4-7

Name: DMN1032UCB4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1032UCB4-7
Price: 0.201168 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (229 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMN1032UCB4-7

quantité disponible: 47050 Pièces

Prix de référence: USD 0.201168

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMN1032UCB4-7.pdf

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DMN1032UCB4-7 Caractéristiques

Référence fabricant	DMN1032UCB4-7
Numéro de pièce future	FT-DMN1032UCB4-7
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DMN1032UCB4-7 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	450pF @ 6V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	900mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	U-WLB1010-4
Paquet / caisse	4-UFBGA, WLBGA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN1032UCB4-7 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMN1032UCB4-7-FT

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