maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DMN1019UFDE-7
Référence fabricant | DMN1019UFDE-7 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DMN1019UFDE-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN1019UFDE-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 50.6nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2425pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 690mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | U-DFN2020-6 (Type E) |
Paquet / caisse | 6-UDFN Exposed Pad |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN1019UFDE-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN1019UFDE-7-FT |
DMT6017LSS-13
Diodes Incorporated
ZXMP6A17N8TC
Diodes Incorporated
DMT6015LSS-13
Diodes Incorporated
DMN2028USS-13
Diodes Incorporated
DMN3030LSS-13
Diodes Incorporated
DMN4468LSS-13
Diodes Incorporated
DMP3056LSS-13
Diodes Incorporated
DMS3016SSS-13
Diodes Incorporated
DMS3016SSSA-13
Diodes Incorporated
DMG4435SSS-13
Diodes Incorporated
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel