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Référence fabricant | DMN1004UFV-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMN1004UFV-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN1004UFV-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 70A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 15A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2385pF @ 6V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.9W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI3333-8 |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN1004UFV-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN1004UFV-13-FT |
DMTH3004LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH4005SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH6004SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH6005LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH10H030LK3-13
Diodes Incorporated
DMJ70H1D3SI3
Diodes Incorporated
DMJ70H1D3SH3
Diodes Incorporated
TSM60NB099PW C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM60NB041PW C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DMP32D4SW-7
Diodes Incorporated
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel