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DMJ70H1D3SJ3 Image

Diodes Incorporated DMJ70H1D3SJ3

Numéro de pièce MFG
DMJ70H1D3SJ3
quantité disponible
37960 Pièces
Prix de référence
USD 0.76096
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET N-CH TO251
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMJ70H1D3SJ3.pdf
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DMJ70H1D3SJ3 Caractéristiques

Référence fabricant DMJ70H1D3SJ3
Numéro de pièce future FT-DMJ70H1D3SJ3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
DMJ70H1D3SJ3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 700V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 4.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13.9nC @ 10V
Vgs (Max) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 351pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 41W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 155°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-251
Paquet / caisse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMJ70H1D3SJ3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMJ70H1D3SJ3-FT

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