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DMHC3025LSDQ-13 Image

Diodes Incorporated DMHC3025LSDQ-13

Numéro de pièce MFG
DMHC3025LSDQ-13
quantité disponible
83060 Pièces
Prix de référence
USD 0.348
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMHC3025LSDQ-13.pdf
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DMHC3025LSDQ-13 Caractéristiques

Référence fabricant DMHC3025LSDQ-13
Numéro de pièce future FT-DMHC3025LSDQ-13
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
DMHC3025LSDQ-13 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 6A, 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11.7nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 15V
Puissance - Max 1.5W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur 8-SO
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMHC3025LSDQ-13 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMHC3025LSDQ-13-FT

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