maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / DHG50X1200NA
Référence fabricant | DHG50X1200NA |
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Numéro de pièce future | FT-DHG50X1200NA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DHG50X1200NA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.12V @ 25A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DHG50X1200NA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DHG50X1200NA-FT |
APT2X20DC60J
Microsemi Corporation
APT2X21DC120J
Microsemi Corporation
APT2X41DC120J
Microsemi Corporation
APT2X41DC60J
Microsemi Corporation
689-3P
Microsemi Corporation
1N6660
Microsemi Corporation
1N6659
Microsemi Corporation
MF200C12F2-BP
Micro Commercial Co
MF300K04F3-BP
Micro Commercial Co
MF200K04F4-BP
Micro Commercial Co
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel