maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MF200C12F2-BP
Référence fabricant | MF200C12F2-BP |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MF200C12F2-BP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MF200C12F2-BP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | - |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.8V @ 200A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 110ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | F2 Module |
Package d'appareils du fournisseur | F2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MF200C12F2-BP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MF200C12F2-BP-FT |
JANTX1N6660
Microsemi Corporation
JANTX1N6511
Microsemi Corporation
FST8145
Microsemi Corporation
FST80150SM5C
Microsemi Corporation
FST153100
Microsemi Corporation
FST153100A
Microsemi Corporation
FST153100D
Microsemi Corporation
FST60100
Microsemi Corporation
FST60100A
Microsemi Corporation
163CMQ080
SMC Diode Solutions
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC2V1000-5FG256I
Xilinx Inc.
APA600-FG256
Microsemi Corporation
EP1S25B672C7N
Intel
EP1S20F484C6N
Intel
EP4SGX290FH29C3N
Intel
XC2VP7-5FF672C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation