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Référence fabricant | DG4157EDN-T1-GE4 |
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Numéro de pièce future | FT-DG4157EDN-T1-GE4 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DG4157EDN-T1-GE4 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Circuit de commutation | SPDT |
Circuit multiplexeur / démultiplexeur | 2:1 |
Nombre de circuits | 1 |
Résistance à l'état passant (max) | 1.2 Ohm |
Correspondance canal à canal (& Delta; Ron) | 120 mOhm (Max) |
Tension - Alimentation simple (V +) | 1.65V ~ 5.5V |
Tension - Alimentation double (V ±) | - |
Temps de commutation (Ton, Toff) (Max) | 32ns, 28ns |
-3db Bande Passante | 152MHz |
Injection de charge | -5pC |
Capacité de la chaîne (CS (désactivé), CD (désactivé)) | - |
Courant - Fuite (IS (off)) (Max) | 3nA |
Diaphonie | -41dB @ 10MHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Paquet / caisse | 6-XFDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 6-UDFN (1x1) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DG4157EDN-T1-GE4 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DG4157EDN-T1-GE4-FT |
ISL54066IRTZ
Renesas Electronics America Inc.
ISL54066IRTZ-T
Renesas Electronics America Inc.
LMS4684LD
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LFEC3E-3T100C
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Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290KF40I4
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Intel
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Xilinx Inc.
M1AGL250V2-FG144
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F40E2SG
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EP20K1500EBC652-1X
Intel