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Référence fabricant | DG2612DX-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-DG2612DX-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DG2612DX-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Circuit de commutation | SPDT |
Circuit multiplexeur / démultiplexeur | 2:1 |
Nombre de circuits | 1 |
Résistance à l'état passant (max) | 1.4 Ohm |
Correspondance canal à canal (& Delta; Ron) | 100 mOhm (Max) |
Tension - Alimentation simple (V +) | 1.8V ~ 5.5V |
Tension - Alimentation double (V ±) | - |
Temps de commutation (Ton, Toff) (Max) | 60ns, 35ns |
-3db Bande Passante | - |
Injection de charge | 2.4pC |
Capacité de la chaîne (CS (désactivé), CD (désactivé)) | 36pF |
Courant - Fuite (IS (off)) (Max) | 2nA |
Diaphonie | -73dB @ 100kHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-89 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DG2612DX-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DG2612DX-T1-E3-FT |
PS4066ACSD
Diodes Incorporated
PS4066ACSDE
Diodes Incorporated
PS4066ACSDEX
Diodes Incorporated
PS4066AESD
Diodes Incorporated
ISL54233IRTZ-T
Renesas Electronics America Inc.
ISL54233IRTZ
Renesas Electronics America Inc.
ISL54233IRTZ-T7A
Renesas Electronics America Inc.
PI3A3160CZGEX
Diodes Incorporated
PI3A3160ZEEX
Diodes Incorporated
PI3A3160ZGEX
Diodes Incorporated
XC6SLX100T-N3FG484C
Xilinx Inc.
AGLN125V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050T-VFG400I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-BG121TR
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S30F672I4
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EP4CE55F23C8
Intel
EP3SL200F1517C4LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel