maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / DFE201210S-1R0M=P2
Référence fabricant | DFE201210S-1R0M=P2 |
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Numéro de pièce future | FT-DFE201210S-1R0M=P2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DFE201210S |
DFE201210S-1R0M=P2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Metal |
Inductance | 1µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 2.3A |
Courant - Saturation | 3.2A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 70 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE201210S-1R0M=P2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DFE201210S-1R0M=P2-FT |
DFE252010P-4R7M=P2
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XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
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Intel