Référence fabricant | DFB2005 |
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Numéro de pièce future | FT-DFB2005 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DFB2005 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 20A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 50V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, TS-6P |
Package d'appareils du fournisseur | TS-6P |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFB2005 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DFB2005-FT |
FBO40-12N
IXYS
FUO50-16N
IXYS
GUO40-12NO1
IXYS
FUO22-12N
IXYS
FBS16-06SC
IXYS
DD170N16SHPSA1
Infineon Technologies
GHXS030A060S-D1E
Global Power Technologies Group
GHXS030A120S-D1
Global Power Technologies Group
GHXS010A060S-D1E
Global Power Technologies Group
GHXS015A120S-D1
Global Power Technologies Group
A1010B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC6SLX100-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SEEBH40I2N
Intel
XC7V2000T-2FHG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RI240-4N
Intel