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Infineon Technologies DF200R12W1H3B27BOMA1

Name: DF200R12W1H3B27BOMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: DF200R12W1H3B27BOMA1
Price: 41.343664 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (637 reviews)

Numéro de pièce MFG: DF200R12W1H3B27BOMA1

quantité disponible: 38580 Pièces

Prix de référence: USD 41.343664

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: - IGBT MODULE VCES 1200V 200A

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - IGBT - Modules

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DF200R12W1H3B27BOMA1.pdf

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DF200R12W1H3B27BOMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	DF200R12W1H3B27BOMA1
Numéro de pièce future	FT-DF200R12W1H3B27BOMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DF200R12W1H3B27BOMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type IGBT	-
Configuration	2 Independent
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	30A
Puissance - Max	375W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	1.3V @ 15V, 30A
Courant - Coupure Collecteur (Max)	1mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	2nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	Yes
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / caisse	Module
Package d'appareils du fournisseur	Module
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DF200R12W1H3B27BOMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DF200R12W1H3B27BOMA1-FT

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