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Infineon Technologies DF200R12W1H3B27BOMA1
- Numéro de pièce MFG
- DF200R12W1H3B27BOMA1
- quantité disponible
- 38580 Pièces
- Prix de référence
- USD 41.343664
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Infineon Technologies
- Brève description
- - IGBT MODULE VCES 1200V 200A
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - IGBT - Modules
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- DF200R12W1H3B27BOMA1.pdf
DF200R12W1H3B27BOMA1 Caractéristiques
| Référence fabricant | DF200R12W1H3B27BOMA1 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-DF200R12W1H3B27BOMA1 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| DF200R12W1H3B27BOMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type IGBT | - |
| Configuration | 2 Independent |
| Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 30A |
| Puissance - Max | 375W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.3V @ 15V, 30A |
| Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
| Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | Yes |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / caisse | Module |
| Package d'appareils du fournisseur | Module |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DF200R12W1H3B27BOMA1 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | DF200R12W1H3B27BOMA1-FT |
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