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Infineon Technologies DF200R12KE3HOSA1

Numéro de pièce MFG
DF200R12KE3HOSA1
quantité disponible
31110 Pièces
Prix de référence
USD 75.3104
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Infineon Technologies
Brève description
- IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Modules
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DF200R12KE3HOSA1.pdf
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DF200R12KE3HOSA1 Caractéristiques

Référence fabricant DF200R12KE3HOSA1
Numéro de pièce future FT-DF200R12KE3HOSA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
DF200R12KE3HOSA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT -
Configuration Single
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) -
Puissance - Max 1040W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
Courant - Coupure Collecteur (Max) 5mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse Module
Package d'appareils du fournisseur Module
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DF200R12KE3HOSA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DF200R12KE3HOSA1-FT

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