maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / DF160R12W2H3FB11BOMA1
Référence fabricant | DF160R12W2H3FB11BOMA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DF160R12W2H3FB11BOMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DF160R12W2H3FB11BOMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | - |
La technologie | - |
Tension - Inverse de crête (Max) | - |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF160R12W2H3FB11BOMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DF160R12W2H3FB11BOMA1-FT |
APTDF100H60G
Microsemi Corporation
APTDF200H20G
Microsemi Corporation
APTDR70X1601G
Microsemi Corporation
B412F-2
Sensata-Crydom
B483B-2
Sensata-Crydom
B483B-2T
Sensata-Crydom
B483G-2T
Sensata-Crydom
B485B-2
Sensata-Crydom
B485D-2
Sensata-Crydom
B485G-2T
Sensata-Crydom
XC7A15T-L1FTG256I
Xilinx Inc.
XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
LFE2M100E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2SGE2
Intel
5AGXFB1H4F35I5G
Intel
10AX027E1F27E1SG
Intel
EPF10K100EQC208-1X
Intel