Référence fabricant | DF08S-T |
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Numéro de pièce future | FT-DF08S-T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DF08S-T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | DF-S |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF08S-T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DF08S-T-FT |
GBU810
Diodes Incorporated
GBU601
Diodes Incorporated
GBU604
Diodes Incorporated
GBU401
Diodes Incorporated
GBU402
Diodes Incorporated
GBU408
Diodes Incorporated
GBU606
Diodes Incorporated
GBU808
Diodes Incorporated
GBU10005
Diodes Incorporated
GBU1002
Diodes Incorporated
XC6SLX4-3TQG144I
Xilinx Inc.
A1225A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC4005-5PQ208C
Xilinx Inc.
AFS600-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMB6R3F43C2LN
Intel
EP3SE110F1152C3N
Intel
XC2VP30-5FFG1152I
Xilinx Inc.
EPF8636ALC84-4N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel