Référence fabricant | DF08S-T |
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Numéro de pièce future | FT-DF08S-T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DF08S-T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | DF-S |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF08S-T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DF08S-T-FT |
GBU810
Diodes Incorporated
GBU601
Diodes Incorporated
GBU604
Diodes Incorporated
GBU401
Diodes Incorporated
GBU402
Diodes Incorporated
GBU408
Diodes Incorporated
GBU606
Diodes Incorporated
GBU808
Diodes Incorporated
GBU10005
Diodes Incorporated
GBU1002
Diodes Incorporated
EPF10K50ETI144-3
Intel
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
10M50DCF256I6G
Intel
EP4SGX290KF40I4
Intel
5SGXMA7N1F45C1N
Intel
5SGXEB5R2F43I2LN
Intel
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation