maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / DE21XKY100JB3BM02F
Référence fabricant | DE21XKY100JB3BM02F |
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Numéro de pièce future | FT-DE21XKY100JB3BM02F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | KY |
DE21XKY100JB3BM02F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 10pF |
Tolérance | ±5% |
Tension - nominale | 250V |
Coéfficent de température | SL |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Caractéristiques | High Voltage |
Évaluations | X1, Y2 |
Applications | Safety |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Disc |
Taille / Dimension | 0.315" Dia (8.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.433" (11.00mm) |
Épaisseur (Max) | - |
Espacement des fils | 0.295" (7.50mm) |
Style de plomb | Formed Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DE21XKY100JB3BM02F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DE21XKY100JB3BM02F-FT |
DE2E3KY102MN3AM02F
Murata Electronics North America
DE2E3KY152MA3BM02F
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XC3S50AN-4FT256I
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XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
XCKU095-2FFVC1517E
Xilinx Inc.
A3P125-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP4CGX150CF23C8
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
LCMXO2-256HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S3F45I2LG
Intel
EP2S90F780I4N
Intel
EP3SL70F780I3N
Intel