maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / DE2E3KY102MB3BM02F
Référence fabricant | DE2E3KY102MB3BM02F |
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Numéro de pièce future | FT-DE2E3KY102MB3BM02F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | KY |
DE2E3KY102MB3BM02F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 1000pF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 250V |
Coéfficent de température | E |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Caractéristiques | High Voltage |
Évaluations | X1, Y2 |
Applications | Safety |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Disc |
Taille / Dimension | 0.276" Dia (7.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.394" (10.00mm) |
Épaisseur (Max) | - |
Espacement des fils | 0.295" (7.50mm) |
Style de plomb | Formed Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DE2E3KY102MB3BM02F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DE2E3KY102MB3BM02F-FT |
RHS7G2A102J0DGH01A
Murata Electronics North America
RHS7G2A121J0A2H01B
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XC6SLX150-3FGG484C
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LFE2M100SE-6F1152C
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5SGXMB5R3F40C2N
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5SGXMB9R3H43C4N
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XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2LG
Intel