maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DDTC115TE-7-F
Référence fabricant | DDTC115TE-7-F |
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Numéro de pièce future | FT-DDTC115TE-7-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DDTC115TE-7-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 100 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-523 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC115TE-7-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DDTC115TE-7-F-FT |
BCR 196F E6327
Infineon Technologies
BCR 198F E6327
Infineon Technologies
BCR 199F E6327
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BCR 101T E6327
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BCR 103T E6327
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BCR 108T E6327
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BCR 112T E6327
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BCR 114T E6327
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BCR 116T E6327
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BCR 119T E6327
Infineon Technologies
M1A3P400-FGG484I
Microsemi Corporation
MPF300TL-FCVG484E
Microsemi Corporation
A54SX16P-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEB5R1F40C2L
Intel
XC7VX330T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200RC240-1X
Intel
5SGXMA3H2F35C3N
Intel