maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DDTB123EC-7-F
Référence fabricant | DDTB123EC-7-F |
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Numéro de pièce future | FT-DDTB123EC-7-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DDTB123EC-7-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 2.2 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 39 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTB123EC-7-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DDTB123EC-7-F-FT |
DDTA123EE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA123TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA123YE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA124EE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA124GE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA124TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA125TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA143FE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA143TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA144EE-7-F
Diodes Incorporated
LCMXO2-7000HE-4TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30ATC144-1N
Intel
5CGXFC4C6F27I7N
Intel
EP3SE260F1517C2
Intel
EP2AGX65DF25C6N
Intel
5SGXMB5R3F43C2N
Intel
5SGXMA5K3F35C2LN
Intel
XC6VLX240T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation