maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DDTA123EE-7-F
Référence fabricant | DDTA123EE-7-F |
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Numéro de pièce future | FT-DDTA123EE-7-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DDTA123EE-7-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 2.2 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-523 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA123EE-7-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DDTA123EE-7-F-FT |
BCR 192T E6327
Infineon Technologies
BCR 196T E6327
Infineon Technologies
BCR 198T E6327
Infineon Technologies
BCR 199T E6327
Infineon Technologies
DDTA144GCA-7-F
Diodes Incorporated
DDTA124TCA-7-F
Diodes Incorporated
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DDTC125TCA-7-F
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Diodes Incorporated
DDTA123YCA-7-F
Diodes Incorporated
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AGL060V5-VQG100
Microsemi Corporation
10M25DCF484I7G
Intel
5SGXEB6R2F40C3
Intel
5SGXMA7H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F1152C2
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC4VLX160-11FF1148C
Xilinx Inc.
EPF8452AQC160-3AC
Intel