maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / DDA114EU-7-F
Référence fabricant | DDA114EU-7-F |
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Numéro de pièce future | FT-DDA114EU-7-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DDA114EU-7-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDA114EU-7-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DDA114EU-7-F-FT |
BCR183SE6327BTSA1
Infineon Technologies
BCR183SE6433BTMA1
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BCR183SH6327XTSA1
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LCMXO1200C-3T144I
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AX125-FG256
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XC7K355T-1FF901I
Xilinx Inc.
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5CEFA5M13C8N
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